英特尔推进面向未来节点的技术创新,在2025年后巩固制程领先性
英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的英特目标,目前,尔推Intel 7,进面节点采用EUV(极紫外光刻)技术的向未新年先性Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。正在顺利推进中的术创加蓬币圈数据Intel 20A和Intel 18A两个节点,将继续采用EUV技术,后巩厄立特里亚数据并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术,固制助力英特尔于2025年重夺制程领先性。程领
在“四年五个制程节点”计划之后,英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的尔推开发和制造,以巩固制程领先性。进面节点High NA EUV技术是向未新年先性EUV技术的进一步发展,数值孔径(NA)是术创厄立特里亚料子衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩膜上的后巩电路图形反射到硅晶圆上的光学系统,High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率,固制从而有助于晶体管的进一步微缩。
作为Intel 18A之后的厄立特里亚打粉下一个先进制程节点,Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。此外,英特尔还公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的厄立特里亚tk投流数个演化版本,以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。
为了制造出特征尺寸更小的晶体管,在集成High NA EUV光刻技术的同时,英特尔也在同步开发新的晶体管结构,并改进工艺步骤,如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、简化流程。
将研究成果转化为可量产、可应用的先进产品,是英特尔50多年来的卓越所在。英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律,以推动AI和其它新兴技术的发展。
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